作者：山東LED顯示屏廠家 發(fā)布時間：2024-04-10 13:42 瀏覽次數 :
近日，鄭州大學物理工程學院先進光電材料與器件物理課題組在《Advanced Materials》期刊上發(fā)表了題為“Near-Infrared Light Emitting Metal Halides: Materials, Mechanisms, and Applications”的綜述文章。
論文第一作者為該院劉瑩研究員，通訊作者為該院史志鋒教授、華南理工大學夏志國教授和意大利技術研究所Liberato Manna教授。鄭州大學物理學院為論文第一單位。
近紅外發(fā)光材料在食品檢測、農業(yè)生產、生物醫(yī)學等領域具有廣泛的應用價值。目前常見近紅外光源主要是III-V族無機半導體的外延異質結構，很難與互補金屬氧化物半導體（CMOS）集成，且制備工藝復雜。近年來，金屬鹵化物材料因其成本低廉、制備工藝簡單、溶液可加工、光譜可調范圍廣、易于進行CMOS集成而在光電器件領域具有很強的應用潛力，是新興近紅外發(fā)光材料的理想選擇。
近兩年，近紅外發(fā)光的鈣鈦礦發(fā)光二極管外量子效率達到20%以上，并顯示出超過10000小時的器件穩(wěn)定性，進一步展現出近紅外發(fā)光金屬鹵化物良好的應用前景，激發(fā)了科研人員對于近紅外金屬鹵化物的探索。
鑒于此，研究人員從近紅外發(fā)射機理出發(fā)，對不同類型的近紅外發(fā)光金屬鹵化物進行了歸類和整理，包括鉛/錫基溴/碘化物鈣鈦礦、稀土離子摻雜金屬鹵化物、雙鈣鈦礦、低維雜化金屬鹵化物和Bi3+/Sb3+/Cr3+摻雜金屬鹵化物，綜述了它們的最新研究進展，深入分析了窄帶或寬帶近紅外發(fā)光的機制。
同時，梳理了基于近紅外發(fā)光金屬鹵化物的器件應用，并詳細討論了不同類型近紅外金屬鹵化物所面臨的實際挑戰(zhàn)以及克服這些障礙的可能策略。
